Daldırarak Kaplama Yöntemiyle Biriktirilen NiO İnce Filmlerin Yarı İletkenlik Potansiyeli


Nayman E., Gözükızıl M. F.

IV. Bilsel Uluslararası Çatalhöyük Bilimsel Araştırmalar Kongresi, Konya, Türkiye, 23 - 24 Kasım 2024, ss.199-213

  • Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Konya
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayıları: ss.199-213
  • Bilecik Şeyh Edebali Üniversitesi Adresli: Evet

Özet

Bu çalışma, nikel oksit (NiO) ince filmlerinin sol-gel daldırarak kaplama yöntemiyle cam altlıklar üzerine

biriktirilmesi ve farklı kaplama tekrar sayılarının etkisinin incelenmesini kapsamaktadır. NiO ince filmleri, 5, 10

ve 15 tekrarlı kaplama işlemleri ile hazırlanmış ve yüzey özellikleri, kristal yapıları ile elektriksel iletkenlikleri

detaylı olarak karakterize edilmiştir. SEM analizleri, 10 tekrarlı kaplamanın yüzey homojenliği ve yoğunluk

açısından en iyi sonucu verdiğini; 5 tekrarda yetersiz kaplama, 15 tekrarda ise topaklanma kaynaklı

bozulmaların meydana geldiğini göstermiştir. XRD analizleri, 10 tekrarlı numunelerin düzenli ve yoğun kristal

yapı sergilediğini ortaya koymuştur. Elektriksel iletkenlik testleri, 10 tekrarlı kaplamaların sabit voltaj altında

dengeli ve istikrarlı bir yarıiletkenlik özelliği sunduğunu, diğer tekrarlarda ise performansın düzensiz olduğunu

göstermiştir. Sonuçlar, 10 tekrarlı kaplamanın optimum kalınlık ve yapıya sahip olduğunu, NiO ince filmlerin

sensör teknolojileri, enerji depolama ve optoelektronik cihazlarda yüksek potansiyele sahip bir yarı iletken

malzeme olduğunu doğrulamaktadır. Sol-gel daldırarak kaplama yöntemi, düşük maliyet ve yüksek uyumluluk

avantajlarıyla bu tür uygulamalar için verimli bir üretim yöntemi sunmaktadır.

This study covers the deposition of nickel oxide (NiO) thin films on glass substrates by sol-gel dip coating method and the investigation of the effect of different coating repetition numbers. NiO thin films were prepared by 5, 10 and 15 repetition coating processes and their surface properties, crystal structures and electrical conductivities were characterized in detail. SEM analyses showed that 10 repetition coating gave the best results in terms of surface homogeneity and density; insufficient coating occurred in 5 repetitions and agglomeration-related deteriorations occurred in 15 repetitions. RD analyses revealed that 10 repetition samples exhibited regular and dense crystalline structures. Electrical conductivity tests showed that 10 repetition coatings provided stable and consistent semiconductivity under constant voltage, while the performance was irregular in other repetitions. The results confirm that the coating with 10 repeats has the optimum thickness and structure, and NiO thin films are a semiconductor material with high potential in sensor technologies, energy storage and optoelectronic devices. The sol-gel dip coating method offers an efficient production method for such applications with the advantages of low cost and high compatibility.